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本公开提供了一种垂直场效应晶体管(VFET)结构及其制造方法。该VFET结构包括：基板；形成在基板上的鳍结构；底部源极/漏极区域，形成在基板上在鳍结构的下部之间且在其相反两侧；以及浅沟槽隔离(STI)结构，形成在基板的侧部和底部源极/漏极区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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