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本发明公开一种半导体晶体管及其制作方法，其中该半导体晶体管包含一基底，具有第一导电型，其中所述基底具有一主表面；一离子阱，具有一第二导电型，位于所述基底中；彼此相区隔的一源极区和一漏极区，设于所述离子阱中，其中所述源极区和所述漏极区具有所述...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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