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本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层...
该专利属于电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司授权不得商用。

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