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本发明公开了一种半导体器件，包括：覆盖在源漏区以及栅极结构表面的第一富硅氧化物层，在第一富硅氧化物层的表面形成有接触刻蚀停止层。层间膜形成于接触刻蚀停止层的表面并将栅极结构之间的间隔区域完全填充。层间膜采用HDP氧化膜。第一富硅氧化物层由多...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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