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本发明公开了一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结，所述方法包括：在金属箔衬底上生长六方氮化硼薄膜；去除金属箔衬底，并将六方氮化硼薄膜转移至介质衬底上；将上一步得到的样品经过退火处理后放入生长腔室中，同时在该生长腔室放入过渡金属二...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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