一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结技术

本发明专利技术公开了一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结，所述方法包括：在金属箔衬底上生长六方氮化硼薄膜；去除金属箔衬底，并将六方氮化硼薄膜转移至介质衬底上；将上一步得到的样品经过退火处理后放入生长腔室中，同时在该生长腔室放入过渡金属二硫族化合物的前驱体；向生长腔室通入载气，以使过渡金属二硫族化合物的前驱体在六方氮化硼薄膜表面发生反应，得到过渡金属二硫族化合物与六方氮化硼异质结。本发明专利技术提供的制备方法能够直接在六方氮化硼薄膜上大面积生长过渡金属二硫族化合物，以形成过渡金属二硫族化合物/六方氮化硼异质结，避免了传统机械转移方法易出现的破损、褶皱及转移媒介造成的界面缺陷和污染等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结
本专利技术属于材料科学
，具体涉及一种六方氮化硼异质结的制备方法及其六方氮化硼异质结。
技术介绍
二维材料由于其独特的原子层结构以及电学和光学特性，已成为一种研究广泛的新型材料，在新型微电子及光电器件中的应用潜力巨大。不同二维材料的堆叠能够结合各自优异的特性，极大地扩展其性能及应用。例如，过渡金属二硫族化合物是一种重要的二维半导体材料，然而其电学性质受周围环境影响很大，衬底中的各种无序会使其迁移率严重下降。六方氮化硼是一种优异的二维绝缘体，其表面可以达到原子级平滑，且无悬挂键和陷阱电荷。将过渡金属二硫族化合物和六方氮化硼的垂直堆叠可以大幅还原其优异的本征特性，非常适合于探索二维材料电学及光电特性，提高其微电子/光电子器件的性能。传统的过渡金属二硫族化合物与六方氮化硼异质结主要是通过逐次机械转移制备的。然而，该方法在转移过程中容易出现破损和褶皱，且转移媒介会造成器件界面缺陷和污染。此外，上述方法效率较低，不能实现大面积的六方氮化硼异质结的制备，无法适用于大规模器件的应用。...

【技术保护点】
1.一种六方氮化硼异质结的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤1：在金属箔衬底上生长六方氮化硼薄膜；/n步骤2：去除所述金属箔衬底，并将所述六方氮化硼薄膜转移至介质衬底上；/n步骤3：将步骤2得到的样品经过退火处理后放入生长腔室中，同时在该生长腔室放入过渡金属二硫族化合物的前驱体；/n步骤4：向所述生长腔室通入载气，以使所述过渡金属二硫族化合物的前驱体在所述六方氮化硼薄膜表面发生反应，得到过渡金属二硫族化合物与六方氮化硼异质结。/n

【技术特征摘要】
1.一种六方氮化硼异质结的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1：在金属箔衬底上生长六方氮化硼薄膜；
步骤2：去除所述金属箔衬底，并将所述六方氮化硼薄膜转移至介质衬底上；
步骤3：将步骤2得到的样品经过退火处理后放入生长腔室中，同时在该生长腔室放入过渡金属二硫族化合物的前驱体；
步骤4：向所述生长腔室通入载气，以使所述过渡金属二硫族化合物的前驱体在所述六方氮化硼薄膜表面发生反应，得到过渡金属二硫族化合物与六方氮化硼异质结。


2.根据权利要求1所述的六方氮化硼异质结的制备方法，其特征在于，步骤1包括：
选取过渡金属材料作为金属箔衬底；
在低压条件下，采用硼烷氨络合物作为前驱体在所述金属箔衬底上生长六方氮化硼薄膜。


3.根据权利要求1所述的六方氮化硼异质结的制备方法，其特征在于，步骤2包括：
在所述六方氮化硼薄膜表面旋涂PMMA聚合物层，并将涂有PMMA的样品放置到热板上烘烤固化；
采用一定浓度的溶剂腐蚀掉所述金属箔衬底；
将所述六方氮化硼薄膜转移至介质衬底上，并用去离子水反复清洗；
去除样品表面的PMMA聚合物层。


4.根据权利要求3所述的六方氮化硼异质结的制备方法，其特征在于，所述金属箔衬底的材料为铜箔。


5.根据权利要求4所述的六方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩林，谢涌，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61