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本发明涉及表面分析技术领域，特别指一种标定薄膜材料XPS深度剖析刻蚀速率的方法。本发明通过真空蒸镀法制备平整薄膜样品，经过离子刻蚀后使用探针式表面轮廓仪标定弧坑深度，进而获得该薄膜样品真实离子刻蚀速率和刻蚀深度。由于不同材料的性质差别较大，...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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