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一种存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法。顶部电极与硬掩模部分的柱堆叠形成于含有连续参考磁化层、连续非磁性隧道阻挡层以及连续自由磁化层的层堆叠上方。可沉积且各向异性地刻蚀连续介电衬里，以形成内介电间隔件。可各向异性地刻蚀连续自由磁化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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