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本发明提供一种垂直型晶体管、存储器及制备方法，通过去除栅导电层与第一栅介电层之间的第二栅介电层，以在栅导电层与第一栅介电层之间形成凹槽，由于水的介电常数较高，从而通过在凹槽中形成水介电层，可提高栅介电层的介电常数，从而可增强栅控能力，以同时...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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