温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种半导体器件的制作方法，包括：进行第一热处理，在第一热处理的过程中通入氧气，使半导体器件的衬底上方的氧化层的厚度得到增加；采用光刻工艺在衬底上的目标区域覆盖光阻；依次进行第一离子注入和第二热处理。本申请通过在半导体器件的制作过...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。