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本发明公开了一种二维材料拉应变工程的激光冲击制造方法，包括以下步骤：(1)在基底上沉积金属薄膜；(2)将沉积的金属薄膜通过热处理等方式形成金属纳米颗粒；(3)在热处理后的金属薄膜上转移单层或少层的二维半导体材料；(4)使用脉冲激光冲击的方法...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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