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本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够降低钼膜的成膜阻碍因素。半导体器件的制造方法具有下述工序：工序(a)，向处理室内的衬底供给含有钼和氧的含钼气体；工序(b)，向衬底供给含有氢的添加气体；和工序(c)，向衬底供给含有...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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