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本发明涉及一种基于紫外灰度光刻法的非等高光波导定向模式耦合器。该光波导定向模式耦合器，包括基底、波导下包层、波导芯层和波导上包层，所述波导芯层被波导上包层和波导下包层所包覆，主要由一根芯层高度和宽度都较大的主波导和另一根芯层高度和宽度较小的...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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