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本发明提供一种腐蚀CVD法制备石墨烯的铜基底方法，涉及石墨烯薄膜材料制备领域。本方法先后使用三种腐蚀液，分别是：包含15gFeCl...
该专利属于燕山大学所有，仅供学习研究参考，未经过燕山大学授权不得商用。

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