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本公开整体涉及包括TMR传感器的惠斯通电桥阵列及其制造方法。在该惠斯通电桥阵列中，存在四个不同的TMR传感器。这些TMR传感器全部同时制造，以产生具有合成反铁磁自由层作为顶层的四个相同的TMR传感器。这些合成反铁磁自由层包括第一磁性层、间隔...
该专利属于西部数据技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过西部数据技术公司授权不得商用。

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