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本发明属于电源技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路。本发明提出的电平位移电路通过PWM信号控制的有源钳位电平位移电路与短脉冲控制的加速模块协同作用的方式，有效避免了LDMOS寄生电容上大电压动态范围对速度的限制，实现了...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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