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本发明公开了一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构及其封装方法,属于芯片封装技术领域。其自上往下依次包括保护层(130)、第一封装体(124)、第一再布线金属层(110)、第二封装体(125)以及第二再布线金属层(118),第一封装体(124)与...该专利属于长电集成电路(绍兴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长电集成电路(绍兴)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种多芯片三维堆叠扇出型封装结构及其封装方法,属于芯片封装技术领域。其自上往下依次包括保护层(130)、第一封装体(124)、第一再布线金属层(110)、第二封装体(125)以及第二再布线金属层(118),第一封装体(124)与...