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本发明公开了一种偏离<100>晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，包括配制腐蚀液：氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1：2.8‑3.2：1.8‑2.2；腐蚀：将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入腐蚀液中，腐蚀时间为5‑10min，取出...该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种偏离<100>晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，包括配制腐蚀液：氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1：2.8‑3.2：1.8‑2.2；腐蚀：将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入腐蚀液中，腐蚀时间为5‑10min，取出...