一种偏离<100>晶向9制造技术

本发明专利技术公开了一种偏离<100>晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，包括配制腐蚀液：氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液体积比为1：2.8‑3.2：1.8‑2.2；腐蚀：将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入腐蚀液中，腐蚀时间为5‑10min，取出花篮，用去离子水冲洗干净；甩干：将花篮放入甩干机，甩干速度为800‑1200r/min，甩干时间2‑5min；用金相显微镜观察腐蚀后的锗抛光片表面位错形貌，在锗抛光片表面上以方格边长为13mm布置一定数量的测试范围，每个测试范围选取一个测试点，对各测试点位错个数计数，计算其位错密度；本发明专利技术能够清晰显示偏离<100>晶向9º的锗单晶片的位错形貌。

【技术实现步骤摘要】
一种偏离<100>晶向9o锗单晶片位错密度测量方法
本专利技术涉及半导体材料，特别是涉及一种偏离<100>晶向9º锗单晶片位错密度测量方法。
技术介绍
航天工业的飞速发展对于空间太阳电池的需求日益加大，且质量要求越来越高。虽然经过不懈努力，硅太阳电池因其转换效率低，抗辐射能力弱，在空间应用领域，已逐渐被砷化镓太阳电池所替代。砷化镓太阳电池转化效率高，高温特性和耐辐射特性良好，更适合空间复杂环境，已成为空间飞行器的主流电源。锗材料具有与砷化镓材料相近的晶格常数和热膨胀系数，具有机械强度高、耐辐射性能好等特点，是目前砷化镓太阳电池最为理想的衬底材料。目前太阳能电池用锗单晶片衬底材料的晶向要求<100>晶向偏最近<111>9°±1°，国标《GB/T5252-2006锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》中要求锗样片的晶向偏离度小于6º，而对于锗单晶片偏离<100>晶向9º位错的检测还没有腐蚀检测方法，由于锗位错在锗单晶片上分布不均匀，现有位错腐蚀坑密度测量方法经多次测量会出现偏差较大的情况。因此，用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏离<100>晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)、从预用锗单晶棒头尾切取偏离<100>晶向9º样片加工成锗抛光片；/n(2)、配制位错腐蚀液，氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液的体积比为1：（2.8-3.2）：（1.8-2.2）；/n(3)、将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入位错腐蚀液中，腐蚀时间为5-10min，温度为10-20℃；/n(4)、取出花篮，用去离子水冲洗干净，将花篮放入甩干机，甩干速度为800-1200r/min，甩干时间为2-5min；/n(5)、用金相显微镜观察腐蚀后的锗抛光片表面位错形貌，在锗抛光片表面上以方格边长...

【技术特征摘要】
1.一种偏离<100>晶向9º锗单晶片位错密度测量方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、从预用锗单晶棒头尾切取偏离<100>晶向9º样片加工成锗抛光片；
(2)、配制位错腐蚀液，氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液的体积比为1：（2.8-3.2）：（1.8-2.2）；
(3)、将锗抛光片置于花篮中，将花篮放入位错腐蚀液中，腐蚀时间为5-10min，温度为10-20℃；
(4)、取出花篮，用去离子水冲洗干净，将花篮放入甩干机，甩干速度为800-1200r/min，甩干时间为2-5min...

【专利技术属性】
技术研发人员：高丹，佟丽英，赵权，张伟才，武永超，李保军，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12