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本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构...
该专利属于复旦大学;常州佳讯光电产业发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学;常州佳讯光电产业发展有限公司授权不得商用。

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