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本发明属于纳米多孔半导体材料的制备工艺领域，涉及一种高响应度、高孔隙率和高比表面积的酸性刻蚀SnO...
该专利属于南京工业大学;宿迁市南京工业大学新材料研究院所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业大学;宿迁市南京工业大学新材料研究院授权不得商用。

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