一种酸性刻蚀SnO制造技术

本发明专利技术属于纳米多孔半导体材料的制备工艺领域，涉及一种高响应度、高孔隙率和高比表面积的酸性刻蚀SnO

【技术实现步骤摘要】
一种酸性刻蚀SnO2-RGA气凝胶的制备方法
本专利技术属于纳米多孔半导体材料的制备工艺领域，涉及一种高响应度、高孔隙率和高比表面积的酸性刻蚀SnO2-RGA气凝胶的制备方法。
技术介绍
作为一种具有高比表面积的三维网络状材料，石墨烯气凝胶可被用于承载纳米级的金属氧化物颗粒。金属氧化物SnO2是一种典型的n型宽禁带半导体，其在300K温度下的能带隙为3.6eV，是作为气敏材料的主要选择之一。将SnO2负载于石墨烯气凝胶的网络结构中，形成一个全新的p-n异质结，实现禁带宽度的有效操控，已成为现代传感材料的研究热点。沙特阿拉伯纳吉兰大学的AhmadUmar等人将SnO在氧气中煅烧得到十字交叉状的SnO2，降低了材料的禁带宽度(3.33eV)，因此此类SnO2在400℃下对100ppm的乙醇响应可达到107.5。但由于纯的金属氧化物单质，它的电阻非常大，所以导致需要非常高的测试温度，这在实际操作过程中会有困难。且纯的金属氧化物粉体材料比表面积较小，难以在其表面吸附更多的气体分子，对灵敏度也有影响。因此，提高材料的比表面积以及降低材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种酸性刻蚀SnO

【技术特征摘要】
1.一种酸性刻蚀SnO2-RGA气凝胶材料的制备方法，其具体步骤如下：
(1)酸性刻蚀SnO2粉末的制备
称取二氧化锡加入去离子水中搅拌后，加入强酸继续搅拌后，装入水热反应釜内一定温度下反应，再离心洗涤后放入烘箱内干燥，得到酸性刻蚀SnO2粉末；
(2)酸性刻蚀SnO2-RGA气凝胶的制备
称取酸性刻蚀SnO2粉末于去离子水中搅拌，再滴入氧化石墨烯溶液，继续搅拌后放入水热反应釜内在一定温度下还原反应，得到酸性刻蚀SnO2-RGA溶胶；
(3)老化
将制得的酸性刻蚀SnO2-RGA溶胶取出放入容器中，静置凝胶完全后倒入老化液，老化3～5天；
(4)冷冻干燥
将步骤(3)中老化得到的酸性刻蚀SnO2-RGA溶胶放入冷冻干燥机中，干燥温度为-55～-60℃，压力为1～5Pa，恒温恒压状态下维持36～72h，待冷冻干燥机温度升至室温后取出样品；
(5)高温退火
将步骤(4)中取出的样品放入管式炉中，在惰性气氛下设置温度退火还原，得到酸性刻蚀SnO2-RGA气凝胶材料。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中二氧化锡的浓度配为0.048～0.12g/ml；搅拌20～40min后加入强酸；所述的强酸为盐酸或硝酸；强酸与二氧化锡溶液的体积比为5～20％；加入强酸后继续搅拌30～60min；水热反应釜的反应温度为120～200℃，反应时间为12～30h；离心的转速为5000～8000rpm，离心的时间为5～8min；干燥温度为60～100℃的烘箱内干燥12～30h。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈晓冬，严文倩，崔升，李明珠，陈震锴，张沁怡，陈香凝，
申请(专利权)人：南京工业大学，宿迁市南京工业大学新材料研究院，
类型：发明
国别省市：江苏;32