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本发明涉及一种电平位移电路，所述电路包括VDD为芯片电源，GND为芯片地；HB为半桥高边侧浮动电源；HS为半桥高边侧浮动地；N1、N2为承受半桥高压的MOS；电阻R1、R2为产生电压差的两个电阻；三极管Q1、Q2、Q3、Q4组成两组电流镜；...
该专利属于苏州锴威特半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锴威特半导体股份有限公司授权不得商用。

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