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一种阈值电压偏差少的常关型纵向氮化物半导体晶体管装置，包括：包含氮化物半导体的漂移层、与漂移层电连接的信道区域、源极电极、漏极电极、栅极绝缘膜、栅极电极。所述栅极绝缘膜至少包括位于信道区域侧的第一绝缘膜、位于栅极电极侧的第二绝缘膜、在第二绝...
该专利属于高谷信一郎;白田理一郎所有，仅供学习研究参考，未经过高谷信一郎;白田理一郎授权不得商用。

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