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一种形成半导体装置的方法,包括接收装置,装置具有基板及环绕栅极沟槽的第一介电层。方法更包括在栅极沟槽中沉积栅极介电层及栅极功函数(work function,WF)层,及在由栅极功函数层环绕的空间中形成硬遮罩(hardmask,HM)层。方...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种形成半导体装置的方法,包括接收装置,装置具有基板及环绕栅极沟槽的第一介电层。方法更包括在栅极沟槽中沉积栅极介电层及栅极功函数(work function,WF)层,及在由栅极功函数层环绕的空间中形成硬遮罩(hardmask,HM)层。方...