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本发明公开了一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含一硅基底，一晶体管，以及一互连结构。所述硅基底具有一硅表面。所述晶体管包含一栅极结构，一第一导通区，一第二导通区，以及位于所述硅表面之下的一通道。所述互连结构延伸到所述晶体管之外且耦接于...
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