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本发明提供一种存储装置及其制造方法。此存储装置包括一半导体基底，其中半导体基底包含一沟槽隔离结构以及一主动区位于沟槽隔离结构的一侧。存储装置还包括两相邻的埋入式字线以及第一介电层，其中埋入式字线设置于半导体基底内且相互分离，第一介电层位于半...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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