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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成半导体柱；在半导体柱的侧壁上形成侧墙层；刻蚀侧墙层和半导体柱露出的衬底，在衬底中形成凹槽；在凹槽中形成第一掺杂层；形成凹槽后，在半导体柱的顶部形成第二掺杂层。本发明实施侧墙层具...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。