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本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件，属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表面波器件具有两种模态...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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