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本实用新型公开了一种超大功率GaN基发光二极管结构,包括发光二极管本体,所述发光二极管本体外侧靠近下表面的位置固定安装有一号固定板,所述发光二极管本体外侧位于一号固定板上表面的位置固定安装有二号固定板,所述发光二极管本体下表面靠近两端的位置...该专利属于深圳市益贝电子实业有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市益贝电子实业有限公司授权不得商用。
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