一种超大功率GaN基发光二极管结构制造技术

技术编号:29168761 阅读:23 留言:0更新日期:2021-07-06 23:18
本实用新型专利技术公开了一种超大功率GaN基发光二极管结构,包括发光二极管本体,所述发光二极管本体外侧靠近下表面的位置固定安装有一号固定板,所述发光二极管本体外侧位于一号固定板上表面的位置固定安装有二号固定板,所述发光二极管本体下表面靠近两端的位置固定安装有引线架,所述二号固定板上表面对应于前表面与后表面中部的位置开设有连接卡口。本实用新型专利技术所述的一种超大功率GaN基发光二极管结构,通过二号固定板上的连接卡口与连接卡块,拼接更加方便,这样拼接可以形成不同的图形,橡胶垫可以使得拼接后结构更加牢固,一号固定板使得多个GaN基发光二极管拼接起来显得更加平整,通过引线架通过折叠口更加容易折断与弯曲,使得焊接与安装更加方便。使得焊接与安装更加方便。使得焊接与安装更加方便。

【技术实现步骤摘要】
一种超大功率GaN基发光二极管结构


[0001]本技术涉及发光二极管结构
,特别涉及一种超大功率GaN基发光二极管结构。

技术介绍

[0002]当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示,砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光,因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED;GaN是一种宽带隙化合物半导体材料,具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点,是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一,使得它在蓝光和紫外光电子学
占有重要地位,也是制作高温、大功率半导体器件的理想材料,GaN材料化学件质稳定,在室温下不溶于水、酸、碱;质地带硬,熔点非常高早已实现了产业化生产,以其体积小、寿命长、亮度高、能耗小等优点,有望取代传统白识灯、日光灯等成为主要照明光源,作为一种具有独特光电属性的优异半导体材料,GaN的应用市场可以分为两个部分:一凭借GaN半导体材料宽禁带、激发蓝光的独特性质开发新的光电应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超大功率GaN基发光二极管结构,其特征在于:包括发光二极管本体(1),所述发光二极管本体(1)外侧靠近下表面的位置固定安装有一号固定板(2),所述发光二极管本体(1)外侧位于一号固定板(2)上表面的位置固定安装有二号固定板(3),所述发光二极管本体(1)下表面靠近两端的位置固定安装有引线架(4)。2.根据权利要求1所述的一种超大功率GaN基发光二极管结构,其特征在于:所述二号固定板(3)上表面对应于前表面与后表面中部的位置开设有连接卡口(301),所述连接卡口(301)内部两侧固定安装有橡胶垫(302),所述二号固定板(3)两侧位于前表面与后表面之间中部的位置固定安装有连接卡块(303)。3.根据权利要求1所述的一种超大功率G...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘仁娟
申请(专利权)人:深圳市益贝电子实业有限公司
类型:新型
国别省市:

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