【技术实现步骤摘要】
一种超大功率GaN基发光二极管结构
[0001]本技术涉及发光二极管结构
,特别涉及一种超大功率GaN基发光二极管结构。
技术介绍
[0002]当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示,砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光,因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED;GaN是一种宽带隙化合物半导体材料,具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点,是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一,使得它在蓝光和紫外光电子学
占有重要地位,也是制作高温、大功率半导体器件的理想材料,GaN材料化学件质稳定,在室温下不溶于水、酸、碱;质地带硬,熔点非常高早已实现了产业化生产,以其体积小、寿命长、亮度高、能耗小等优点,有望取代传统白识灯、日光灯等成为主要照明光源,作为一种具有独特光电属性的优异半导体材料,GaN的应用市场可以分为两个部分:一凭借GaN半导体材料宽禁带、激发蓝光的独 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超大功率GaN基发光二极管结构,其特征在于:包括发光二极管本体(1),所述发光二极管本体(1)外侧靠近下表面的位置固定安装有一号固定板(2),所述发光二极管本体(1)外侧位于一号固定板(2)上表面的位置固定安装有二号固定板(3),所述发光二极管本体(1)下表面靠近两端的位置固定安装有引线架(4)。2.根据权利要求1所述的一种超大功率GaN基发光二极管结构,其特征在于:所述二号固定板(3)上表面对应于前表面与后表面中部的位置开设有连接卡口(301),所述连接卡口(301)内部两侧固定安装有橡胶垫(302),所述二号固定板(3)两侧位于前表面与后表面之间中部的位置固定安装有连接卡块(303)。3.根据权利要求1所述的一种超大功率G...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘仁娟,
申请(专利权)人:深圳市益贝电子实业有限公司,
类型:新型
国别省市:
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