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本申请提供一种增强型半导体器件，包括：衬底、依次形成在衬底上的p型半导体层以及n型半导体层，所述n型半导体层的栅极区域具有贯穿所述n型半导体层的第一凹槽，暴露出p型半导体层的栅极区域；沟道层，所述沟道层保形地设置在n型半导体层上以及所述第一...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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