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本发明公开一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法，属于半导体领域。在高压PMOS器件和高压ESD器件中同时形成第三P型掺杂区，高压ESD器件的触发电压由第三P型掺杂区和N型外延层的结击穿决定，根据电路的工作电压，可以进行该结击穿设计。集成...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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