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本发明提供一种多材料共平面的异质集成结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一转移基板，对转移基板进行离子注入，以在转移基板的预设深度处形成缺陷层，转移基板位于缺陷层上方的部分作为转移层；S2：图案化转移层及缺陷层；S3：将转移基板...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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