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本发明涉及单晶硅直拉技术领域提出一种控制单晶硅内氧含量的连续直拉单晶炉，包括坩埚和坩埚内坝和加料器，加料器含熔融硅加料器，所述熔融硅加料器安装于所述坩埚的上方，并且根据预定的速度向坩埚提供液态硅；以及密封外壳，对连续直拉单晶炉的整体结构进行...
该专利属于上海引万光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海引万光电科技有限公司授权不得商用。

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