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温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法技术
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文档序号:29126883
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本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法,基于溶液法,利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点,在析晶点附近,人为制造温差,可控诱导成核,达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐...
该专利属于上海大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海大学授权不得商用。
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