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本发明提供了一种片式元件的镀前处理试剂及改性工艺,涉及片式元件的制备工艺领域。所述片式元件的镀前处理试剂包括HLB值大于15的第一表面活性剂、含胺基对固体强吸附的第二阳离子表面活性剂和溶剂。所述工艺包括:将微型片式元件置入所述的片式元件的镀...该专利属于深圳市鸿信顺电子材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市鸿信顺电子材料有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种片式元件的镀前处理试剂及改性工艺,涉及片式元件的制备工艺领域。所述片式元件的镀前处理试剂包括HLB值大于15的第一表面活性剂、含胺基对固体强吸附的第二阳离子表面活性剂和溶剂。所述工艺包括:将微型片式元件置入所述的片式元件的镀...