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本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的...
该专利属于东进世美肯株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东进世美肯株式会社授权不得商用。

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