金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法技术

本发明专利技术公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

【技术实现步骤摘要】
金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
本专利技术涉及一种金属配线蚀刻液组合物，更详细地讲，涉及蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极(gate)以及源极-漏极(source-drain)区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法(Etchantcompositionformetalwireandmethodforpreparingmetalwireusingthesame)。
技术介绍
随着液晶显示器(LCD)等平板显示器面板的高质量化、高清晰化、以及大面积化，有必要提高显示器面板的响应速度。为此，在使用如下方法：该方法将构成显示器面板的半导体电路的薄膜晶体管(ThinfilmTransistor，TFT)的栅极(Gate)以及源极-漏极(Source-Drain，S/D)区域以非为现有的铬和铝及它们的合金的、电阻较低的铜金属形成，从而在栅极工作时提高源极-漏极之间的沟道(channel)形成速度。而且，为了提高上述铜金属膜与下部的玻璃基板或硅绝缘膜的粘接力并抑制铜向硅膜扩散，在上述铜金属膜的下部混用钼(Mo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属配线蚀刻液组合物，其特征在于，包含：/n15～25重量份的过氧化氢；/n0.1～1重量份的氟化合物；/n0.5～3重量份的含有羧基的胺类；/n0.1～1重量份的唑类化合物；/n0.01～2重量份的磷酸类化合物或其盐；/n0.1～3重量份的硫酸盐；/n65～84.19重量份的水。/n

【技术特征摘要】
20131018 KR 10-2013-01246551.一种金属配线蚀刻液组合物，其特征在于，包含：
15～25重量份的过氧化氢；
0.1～1重量份的氟化合物；
0.5～3重量份的含有羧基的胺类；
0.1～1重量份的唑类化合物；
0.01～2重量份的磷酸类化合物或其盐；
0.1～3重量份的硫酸盐；
65～84.19重量份的水。


2.根据权利要求1所述的金属配线蚀刻液组合物，其特征在于，
所述氟化合物包括：HF(氢氟酸)、NaF、NaHF2、NH4F(氟化铵)、NH4HF2、NH4BF4、KF、KHF2、AlF3、HBF4、LiF4、KBF4、CaF2其中一种或多种混合。


3.根据权利要求1所述的金属配线蚀刻液组合物，其特征在于，
所述含有羧基的胺类包括：丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸其中一种或多种混合。


4.根据权利要求1所述的金属配线蚀刻液组合物，其特征在于，
所述唑类化合物包括：苯并三唑、氨基四唑、氨基四唑钾盐、咪唑、吡唑其中一种或多种混合。


5.根据权利要求1所述的金属配线蚀刻液组合物，其特征在于，
所述磷酸类化合物或其盐包括：H3PO2、H3PO3、H3PO4、以钠、钾、锂、铵替代了所述H3PO2、H3P...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐源国，申贤哲，金奎布，曹三永，李骐范，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR