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本发明公开了一种用于X射线管阳极靶的金属涂层及其制备方法,以W、Cr、Mo或Ag为金属靶,通过改进磁控溅射工艺,在铜基底上沉积得厚度25~40μm的金属涂层,所制备的金属涂层与基底结合力可超过100N,且涂层致密、均匀性好,可作为激发X射线...该专利属于成都齐兴真空镀膜技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都齐兴真空镀膜技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种用于X射线管阳极靶的金属涂层及其制备方法,以W、Cr、Mo或Ag为金属靶,通过改进磁控溅射工艺,在铜基底上沉积得厚度25~40μm的金属涂层,所制备的金属涂层与基底结合力可超过100N,且涂层致密、均匀性好,可作为激发X射线...