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本发明公开了一种M/GaN/FTO催化剂及其制备方法，该方法采用化学气相沉积技术将氮化镓沉积在FTO基底上，然后采用化学试剂还原处理将金属负载于沉积在FTO基底上的氮化镓的表面，最终制得出一种M/GaN/FTO催化剂，该催化剂具有优异的光催...
该专利属于王岩所有，仅供学习研究参考，未经过王岩授权不得商用。

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