下载一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法的技术资料

文档序号:29041611

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本发明公开了一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法:将Se粉和Sn粉混合均匀,装入石英管内,放入单质碘,将石英管内气压抽至≤0.1mbar,封管;将石英管放入双温区管式炉中,将装有原料的一端置于高温区且另一端置于低温区,双温区的温度均设...
该专利属于南京工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京工业大学授权不得商用。

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