一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法：将Se粉和Sn粉混合均匀，装入石英管内，放入单质碘，将石英管内气压抽至≤0.1mbar，封管；将石英管放入双温区管式炉中，将装有原料的一端置于高温区且另一端置于低温区，双温区的温度均设置560

【技术实现步骤摘要】
一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法


[0001]本专利技术属于二维材料领域，涉及一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，具体涉及一种制备大面积、高质量的二维本征SnSe2单晶的方法。

技术介绍

[0002]自2004年Geim和Novoselov首次报道用透明胶带剥离法成功制备石墨烯，人们一直在努力寻找二维材料，并形成了庞大的二维材料家族。石墨烯具有丰富而奇特的物理性质，其具备独特的载流子特性和优异的电学性能。石墨烯中的载流子是狄拉克
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费米子，具有超高的载流子迁移率。然而，完美的石墨烯是零带隙的半导体，阻碍了石墨烯在半导体器件方面的应用。新型二维材料——二维半导体过渡金属硫族化合物(TMDCs)，由于具有合适的带隙(1
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2eV)、适中的载流子迁移率、非常高的开关电流比，以及良好的空气稳定性和工艺兼容性，在逻辑集成方面表现出巨大潜力。同时，由于二维TMDCs只有几个原子厚度，在集成方面比传统三维材料更有优势。并且，二维TMDCs不存在悬挂键，结构和迁移率相对稳定，上述优点使它们成为有效的场效应管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)、将Se粉和Sn粉混合均匀，装入石英管内，放入单质碘，将石英管内气压抽至≤0.1mbar，封管；步骤(2)、将石英管放入双温区管式炉中，将装有原料的一端置于高温区且另一端置于低温区，设置炉温：双温区的温度均设置560
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600℃，恒温1天；再将低温区的温度降低至550℃，高温区的温度保持在560
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600℃，高温区和低温区的温度差保持10
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50℃，在该温差下保持5天
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7天；降温过程中保持高温区和低温区的温度差为10
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50℃；步骤(3)、从双温区管式炉中取出石英管，得到片状SnSe2单晶。2.根据权利要求1所述的二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，其特征在于：所述的石英管的一端密闭，另一端敞口，混合均匀的Se粉和Sn粉、单质碘装于石英管密闭端。3.根据权利要求1所述的二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，Se粉和Sn粉按照摩尔比2:1混合均匀。4.根据权利要求1所述的二维半导体材料SnSe2单晶的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述的碘球的重量与Se粉和Sn粉的总重量之比为(0.02
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡小会，陈旭凡，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：