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本实用新型公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种低容值低残压ESD器件，包括低容二极管D1、低容二极管D2、低容二极管D3、场管T1、穿通型钳位TVS和低残压TVS管T2，所述低容二极管D1阳极与场管T1漏极固定连接，所述低容二极管D1与...
该专利属于西安迈驰半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安迈驰半导体科技有限公司授权不得商用。

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