温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

涉及半导体装置及集成电路。改善在RESURF区域形成的MOSFET的耐压性能的提高与接通电阻的降低之间的折衷关系。半导体装置具有：N型扩散层(3)，形成于P型扩散层(1)的表层部，作为RESURF区域而起作用；N型填埋扩散层(2)，形成于N...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。