温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种具有气隙的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一导电结构，设置在一半导体基底上；以及一导电插塞，设置在该导电结构上。该导电插塞电性连接到该导电结构。该半导体元件结构亦包括一第一间隙子，形成在该导电插塞的一侧壁表面；...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。