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磁阻元件和半导体器件制造技术
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文档序号:29034102
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根据本公开的磁阻元件包括:多层结构体40,该多层结构体40至少由磁化固定层、中间层和存储层组成;第一侧壁51,形成在多层结构体40的侧壁上;第二侧壁52,形成在该第一侧壁51上;该第一侧壁51由防止氢的进入的绝缘材料(诸如SiN或AlO
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有,仅供学习研究参考,未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。
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