磁阻元件和半导体器件制造技术

根据本公开的磁阻元件包括：多层结构体40，该多层结构体40至少由磁化固定层、中间层和存储层组成；第一侧壁51，形成在多层结构体40的侧壁上；第二侧壁52，形成在该第一侧壁51上；该第一侧壁51由防止氢的进入的绝缘材料(诸如SiN或AlO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁阻元件和半导体器件


[0001]本公开涉及磁阻元件，以及设置有该磁阻元件的半导体器件。

技术介绍

[0002]在磁随机存取存储器(MRAM)中，数据根据磁性材料的磁化方向存储；因此，MRAM允许快速且基本上无限的重写(10
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次或更多)，并且已用在诸如工业自动化和航空航天的领域。MRAM凭借其高速运行和高可靠性，有望在未来扩展到代码存储和工作存储器；然而实际上，这在降低功耗和增加容量方面是有问题的。这些问题都是MRAM记录原理(即利用布线产生的电流磁场进行磁化反转的方法)衍生的基本问题。作为解决这个问题的方法的一个示例，已经研究了不依赖于电流磁场的记录方法(即，磁化反转方法)。在前述内容当中，由采用自旋注入的磁化反转的自旋注入型磁阻效应元件(STT
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MRAM，基于自旋转移转矩的磁随机存取存储器)组成的磁阻元件已经引起了注意(例如参见日本专利2013
‑
008868A)。
[0003]自旋注入的磁化反转是一种现象，其中通过穿过磁性材料而变成自旋极化的电子注入到另一种磁性材料中，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种磁阻元件，包括：多层结构体，至少由磁化固定层、中间层和存储层组成；其中，第一侧壁，形成在所述多层结构体的侧壁上；第二侧壁，形成在所述第一侧壁上；所述第一侧壁由防止氢侵入的绝缘材料制成；并且所述第二侧壁由储氢材料制成。2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述第二侧壁由钛制成。3.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述第二侧壁的厚度为3
×
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‑8m以上。4.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述第一侧壁由SiN或AlO
X
制成。5.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述第一侧壁的厚度为1
×
10
‑8m以上。6.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，由防止氢侵入的绝缘材料制成的第三侧壁形成在所述第二侧壁上。7.根据权利要求6所述的磁阻元件，其中，所述第三侧壁由SiN或AlO
X
制成。8.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述多层结构体进一步在所述多层结构体上或在所述多层结构体的上方具有上部储氢层；并且所述第一侧壁覆盖所述上部储氢层的侧壁。9.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述多层结构体进一步在所述多层结构体下或在所述多层结构体的下方具有下部储氢层；并且所述第一侧壁覆盖所述下部储氢层的侧壁。10.根据权利要求1所述的磁阻元件，所述磁阻元件被上部绝缘层覆盖；其中，由储氢材料制成的上部层间膜形成在所述上部绝缘层内。11.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，所述多层结构体形成在层间绝缘层上；并且由储氢材料制成的下部层间膜形成在所述层间绝缘层内。12.一种磁阻元件，包括：多层结构体，至少由磁化固定层、中间层和存储层组成；其中，所述多层结构体进一步在所述多层结构体上或所述多层结构体的上方具有上部储氢层。13.根据权利要求12所述的磁阻元件，其中，所述多层结构体进一步在所述多层结...

【专利技术属性】
技术研发人员：末光克巳，植木诚，盛一正成，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：