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使用结合的选择性单层掺杂(SMLD)工艺在半导体装置中形成掺杂材料层的方法和设备。使用SMLD工艺将一种浓度的掺杂剂沉积于材料层上，然后将所述浓度的掺杂剂退火以将所述浓度的掺杂剂扩散进入材料层中。SMLD工艺使所述浓度的掺杂剂顺应于材料层的...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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