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提供单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，该评价方法可简便且精度良好地评价从极低氧、氮掺杂单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。对从极低氧、氮掺杂单晶硅锭采集的晶片状试样或纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secc...
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